Was ist 3D V - NAND und wie unterscheidet es sich von konventioneller Flash - Technologie?

Die einzigartige und innovative 3D V - NAND - Flash - Speicher - Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND - Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V - NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.

Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese - und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite - Technologie.

Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese - und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite - Technologie. Neben einer um mehr als 10 % höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client - PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg.
* PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) < 7.600 (850 EVO) ** Random Write (QD32, 120 GB) : 36.000 IOPS (840 EVO) < 88.000 IOPS (850 EVO)

Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID - Modus auf die Überholspur

Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID - Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID - Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung* bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg.
* PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 < 15.000 (RAPID mode)

Garantiert längere Lebensdauer und höhere Zuverlässigkeit durch die 3D V - NAND - Technologie

Die 850 EVO garantiert außergewöhnliche Lebensdauer und Zuverlässigkeit mit einem gegenüber der 840 EVO* Vorgängergeneration doppelt so hohen TBW - Wert (Total Bytes Written, Mindest - Gesamtschreibdatenmenge) und einer konkurrenzlos großzügigen, fünfjährigen Garantie. Die 850 EVO erreicht eine um bis zu 30 % längere Lebensdauer als die 840 EVO, was sie zu einem der zuverlässigsten Speichermedien** macht.
* TBW: 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO 120/250 GB), 150 (850 EVO 500/1 TB) ** Sustained Performance (250 GB) : 3.300 IOPS (840 EVO) < 6.500 IOPS (850 EVO), Performance measured after 12 hours “Random Write” test

Arbeiten Sie länger - Dank der erhöhten Energieeffizienz durch 3D V - NAND

Die 850 EVO erzielt auf Notebooks längere Akkulaufzeiten dank des für 3D V - NAND optimierten SSD - Controllers, der Device Sleep (DEVSLP) unterstützt. Hierbei benötigt die SSD 850 EVO nur 2 mW an Leistung. Die 850 EVO spart außerdem bei Schreibzugriffen* etwa 25 % Energie im Vergleich zur 840 EVO, da 3D V - NAND nur etwa halb so viel Energie wie planares 2D NAND benötigt.
* Energie (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Flexible Formfaktoren für verschiedenste Gerätetypen
Die SSD 850 EVO ist ausgesprochen vielseitig, denn die Varianten mit mSATA eignen sich für verschiedenste Gerätetypen wie Desktops, Laptops, Ultrabooks oder ultrakompakte Systeme wie Tablet PCs.